掺杂

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掺杂

1.如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导体属于下述类型：2.会议纪要内容部分不得掺杂写作者个人观点。（）3.纯净的具有晶体结构的半导体称为（），采用一定的工艺掺杂后的半导体称为（）。4.锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子cm3，但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子cm3，因此，采用（）掺杂。5.在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？6.直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。7.以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）8.外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。9.形成P型硅的掺杂剂是（）10.硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。11.硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。12.半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。13.为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。14.掺杂浓度和温度对μ的影响，本质上是对载流子（）的影响。15.在低掺杂半导体中，μ随T升高而大幅度下降；在高掺杂时，迁移率随温度变化较小。16.单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。17.平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。18.对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。19.在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。20.在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的