首页 / 百科 / 内容详情 对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。 2022-04-26 5次阅读 多子 掺杂 半导体 对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。 A.N型B.P型C.本征型D.无法判断正确答案:P型 电子迁移率通常高于空穴迁移率,这是由于电子电导有效质量()空穴电导有效质量。 下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。 猜你喜欢 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。 场效应管和三极管一样,都是有两种载流子(多子和少子)参与导电。() 处于放大状态的晶体管,其发射极电流是多子扩散运动形成的()。 根据掺入杂质的不同,杂质半导体分为P型半导体和N型半导体,其中N型半导体的多子是()。