以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
A.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅
B.采用低温外延技术
C.采用含卤原子的硅源
D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
正确答案：采用含卤原子的硅源
以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
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