首页 / 百科 / 内容详情 外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法,衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂,比如Sb。 2022-05-02 11次阅读 掺杂 硅单晶 生长 外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法,衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂,比如Sb。 A.正确B.错误正确答案:正确 硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。 以下对于非晶硅薄膜描述错误的是() 猜你喜欢 如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂,(2)硅用铝(三价元素)掺杂,则分别获得的半导体属于下述类型: 会议纪要内容部分不得掺杂写作者个人观点。() 纯净的具有晶体结构的半导体称为(),采用一定的工艺掺杂后的半导体称为()。 锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子cm3,因此,采用()掺杂。 在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?