首页 / 百科 / 内容详情 单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。 2022-05-01 6次阅读 掺杂 击穿 雪崩 单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。 A.正确B.错误正确答案:错误 pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。 大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用,效果上相当于扩散系数增加一倍。 猜你喜欢 如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂,(2)硅用铝(三价元素)掺杂,则分别获得的半导体属于下述类型: 会议纪要内容部分不得掺杂写作者个人观点。() 纯净的具有晶体结构的半导体称为(),采用一定的工艺掺杂后的半导体称为()。 锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子cm3,因此,采用()掺杂。 在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?