pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。

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• 当二极管正向偏置时，其PN结处的势垒会变（）。
• 为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）
• 在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。
• 双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）
• PN结势垒区电势最低的位置是（）。