势垒

1.当二极管正向偏置时，其PN结处的势垒会变（）。2.为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）3.在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。4.pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。5.双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）6.PN结势垒区电势最低的位置是（）。7.实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。8.PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。9.考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）10.已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为（）半导体。11.金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（）12.肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件13.金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（）14.隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随（）的增加而增大15.N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（）。16.势垒贯穿现象的本质是“微观粒子的波动性”