首页 / 百科 / 内容详情 PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。 2022-05-01 3次阅读 势垒 多子 电荷 PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。 A.正确B.错误正确答案:错误 考虑PN结雪崩击穿机制,温度越高,半导体晶格振动越强,载流子与晶格碰撞几率增大,从而更易发生雪崩击穿。 锗pn结的正向导通电压大约为()V。 猜你喜欢 当二极管正向偏置时,其PN结处的势垒会变()。 为减小BJT集电结势垒区渡越时间,可通过增加集电区掺杂浓度,降低集电极电阻率,减小击穿电压。() 在晶体管T型等效电路中,高频情况下,集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗,因此并联情况下,集电极电阻可以忽略。 pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。 双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()