首页 / 百科 / 内容详情 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正压于金属,随电压增加,空间电荷区宽度将() 2022-04-26 3次阅读 势垒 肖特 金属 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正压于金属,随电压增加,空间电荷区宽度将() A.不变B.增加C.减小D.不能确定正确答案:减小 隧道效应引起肖特基势垒高度的变化量随()的增加而增大 在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的 猜你喜欢 当二极管正向偏置时,其PN结处的势垒会变()。 为减小BJT集电结势垒区渡越时间,可通过增加集电区掺杂浓度,降低集电极电阻率,减小击穿电压。() 在晶体管T型等效电路中,高频情况下,集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗,因此并联情况下,集电极电阻可以忽略。 pn结加负偏压时,是以势垒电容为主。 双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。()