直拉

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直拉

1.在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。2.直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。3.以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）4.以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）5.直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。6.直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。7.直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。8.直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。9.生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。10.不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）11.在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）12.Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。13.以下对于直拉生长描述错误的是（）