首页 / 百科 / 内容详情 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是() 2022-05-02 6次阅读 直拉 杂质 晶体 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是() A.是直拉硅中浓度最高的杂质B.主要来源于坩埚的污染C.对于硅晶体而言完全是有害杂质,需要去除D.过饱和会形成氧沉淀,影响硅晶体的电学性质正确答案:对于硅晶体而言完全是有害杂质,需要去除 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是() 以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是() 猜你喜欢 在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。 直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势,单晶炉也逐渐发展变大。 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是() 直拉硅晶体过程中会引入各种杂质,有些杂质对材料有害,有些杂质对材料有益。 直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。