生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。

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• 在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
• 直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
• 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
• 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
• 直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。