衬底

1.外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。2.在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。3.CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）4.从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？5.VPE制备n+p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：6.以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）7.以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（）8.在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的9.对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。10.拉祜族服装大都以黑布衬底，用彩线和色布缀上各种花边图案，再嵌上洁白的银泡，使整个色彩既深沉而又对比鲜明，给人以无限的美感。