首页 / 百科 / 内容详情 VPE制备n+p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的: 2022-05-02 4次阅读 衬底 制备 造成 VPE制备n /p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的: A.自掺杂效应B.互扩散效应C.衬底表面没清洗干净的缘故。D.掺杂气体不纯正确答案:互扩散效应 “……咏歌之不足,故手之舞之()之()之也。”(答案之间用分号间隔) 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率: 猜你喜欢 外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。 在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。 CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有:扩散;;表面迁移。(三个字) 从两电极面积判断射频溅射时,靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上? 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是()