首页 / 百科 / 内容详情 外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。 2022-05-02 3次阅读 衬底 外延 晶体 外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。 正确答案:晶体 VPE制备n-n+-Si用硅烷为源,硅烷是在()完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-n+Si界面 如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。 猜你喜欢 在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。 CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有:扩散;;表面迁移。(三个字) 从两电极面积判断射频溅射时,靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上? VPE制备n+p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的: 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是()