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晶体管
晶体管
1.
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
2.
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
3.
只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
4.
制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
5.
场效管放大电路的放大能力没有晶体管放大电路的强。()
6.
场效管放大电路的输入电阻比晶体管放大电路的大。()
7.
晶体管是电流控制电流型器件。()
8.
当晶体管工作在放大区时,需满足发射结(),集电结()。
9.
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()
10.
由晶体管构成的三种接法放大电路中,输入电压与输出电压反相的是()。
11.
晶体管工作在饱和区的条件是:发射结正偏,集电结正偏。
12.
由晶体管构成的三种接法放大电路中,频带最宽的是()。
13.
由晶体管构成的三种接法放大电路中,输入电阻最大的是()。
14.
由晶体管构成的三种接法放大电路中,输出电阻最小的是()。
15.
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()
16.
晶体管的工作区域有()个?
17.
静态工作点是()作用时晶体管的电压电流值。
18.
下列关于晶体管的描述正确的是()Ⅰ.由微电路元件构成,包括线缆,三极管,电阻,电容等,封装在一个薄的硅片上。Ⅱ.用于替换计算机系统中的真空管。
19.
测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA,则该管的β为()
20.
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()
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