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标签: 直拉
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- 在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
- 直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势,单晶炉也逐渐发展变大。
- 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是()
- 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是()
- 直拉硅晶体过程中会引入各种杂质,有些杂质对材料有害,有些杂质对材料有益。
- 直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
- 直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入,一般没有电学性质。
- 直拉硅中的金属杂质必须避免,它们扩散很快,可以形成复合体或者沉淀,对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
- 生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。
- 不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有()
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