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标签: 掺杂
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- 硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离,电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
- 半导体硅的性能对于杂质非常敏感,一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
- 为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度,半导体材料本身必须高纯,没有或尽量少杂质。
- 掺杂浓度和温度对μ的影响,本质上是对载流子()的影响。
- 在低掺杂半导体中,μ随T升高而大幅度下降;在高掺杂时,迁移率随温度变化较小。
- 单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。
- 平面双极型晶体管的实际工艺中,基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是()。
- 对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。
- 在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大,涉及的物理机理有()。
- 在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的