热门标签
标签: 掺杂
以下是与 "掺杂" 标签相关的所有文章。
- 如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂,(2)硅用铝(三价元素)掺杂,则分别获得的半导体属于下述类型:
- 会议纪要内容部分不得掺杂写作者个人观点。()
- 纯净的具有晶体结构的半导体称为(),采用一定的工艺掺杂后的半导体称为()。
- 锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子cm3,因此,采用()掺杂。
- 在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?
- 直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
- 以下抑制自掺杂的方法不正确的是()
- 外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法,衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂,比如Sb。
- 形成P型硅的掺杂剂是()
- 硅材料本身是没有电活性的,可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
- 上一页
- 1
- 下一页