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标签: 多子
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- PN结中浓度差使得多子的扩散运动
- 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
- 晶体管里多子和少子均参与导电,而场效应管主要是多子导电。()
- 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()
- 由于N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()
- 在FET内部,多子与少子都参与导电。()
- 在FET内部,多子与少子都参与导电。
- 漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。
- PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
- 对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。