少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。

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• 场效应管和三极管一样，都是有两种载流子（多子和少子）参与导电。（）
• 在杂质半导体中少子的数量与（）有关。
• 当温度升高时，少子的数量（）
• 晶体管里多子和少子均参与导电，而场效应管主要是多子导电。（）
• 场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。