首页 / 百科 / 内容详情 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 2022-05-01 14次阅读 少子 变化 充放电 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。 A.集电结势垒电容B.集电结扩散电容C.发射结势垒电容D.发射结扩散电容正确答案:集电结扩散电容 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb,但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走,因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel()。 以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。 猜你喜欢 场效应管和三极管一样,都是有两种载流子(多子和少子)参与导电。() 在杂质半导体中少子的数量与()有关。 当温度升高时,少子的数量() 晶体管里多子和少子均参与导电,而场效应管主要是多子导电。() 场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电;场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。