首页 / 百科 / 内容详情 硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大()。 2022-05-01 3次阅读 载流子 晶体管 漂移 硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大()。 A.正确B.错误正确答案:正确 双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。() 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb,但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走,因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel()。 猜你喜欢 场效应管仅靠一种载流子导电。() 场效应管和三极管一样,都是有两种载流子(多子和少子)参与导电。() 空间电荷区内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。() P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。() N型半导体的多数载流子是自由电子,因此N型半导体带负电。()