载流子

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载流子

1.载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。2.本征载流子浓度随着温度的升高而（）3.对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。4.半导体中有两种载流子。5.将P型和N型半导体制作在一起，则在交界面两边存在着很大的载流子浓度差。6.霍尔系数K与载流子数密度n成反比。7.MOSFET只有一种载流子参与导电，所以称为单极型三极管。8.P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。9.N型半导体中，多数载流子是（）。10.P型半导体中，多数载流子是（）。11.在霍尔效应实验中，实际测得的附加电场电压并非完全是霍尔电压，其中含包括其他因素带来的附加电压，例如下列选项中的四种电压。其中，由于载流子速度不同而使得向两极偏转后温升不同造成温差电压的是（）12.利用霍尔效应不能判断半导体中载流子浓度。13.N型半导体中的多数载流子是（），而P型半导体中的多数载流子是（）。14.半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。15.场效应管仅靠一种载流子导电。16.在P型半导体中，（）是多数载流子。17.在P型半导体中，（）是少数载流子。18.在N型半导体中，（）是多数载流子。19.本征半导体中空穴是多数载流子（）20.N型半导体中自由电子是少数载流子。（）