导带

1.Vg（0）为时PN结的导带底和价带顶的电热差2.EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（）3.硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度N=8.8×1018cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5eVK）（）4.n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eVK，T=300K，假定5.掺入受主杂质的半导体称为p型半导体，杂质能级离导带很近。6.导带中的电子可能和价带中的空穴复合，释放出的能量以声子的形式发射出去，这一过程称为辐射复合。7.按照能带理论，金属镁外层电子处于饱和状态，因此其只有满带，没有导带，不能导电。8.半导体导电的原理是空穴导电而非导带中电子的定向移动。9.导带底与价带顶之间的能量区域称为（）。10.禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（）。11.半导体材料中存在3个能量区域：价带、导带和禁带，所谓粒子数翻转指的是电子数目（）12.半导体材料中存在3个能量区域:价带、导带和禁带,所谓粒子数翻转指的是电子数目（）