沟道

未来题库→标签→沟道

沟道

1.当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。2.P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。3.下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。4.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。5.N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。6.作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。7.N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mAV^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。8.下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。9.N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。10.P-MOSFET就是指P沟道的功率场效应管。11.MOSFET有N沟道和P沟道两种，下面说法错误的是（）。12.P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）。13.当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。14.作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。15.高处作业区周围的孔洞、沟道等应设（）并有固定其位置的措施。同时.应设置安全标志、夜间还应设红灯示警。16.变电站(生产厂房)内外工作场所的井、坑、孔、洞或沟道，应覆以（）而坚固的盖板。17.生产厂房内外工作场所对“井、坑、孔、洞或沟道”必须覆以与地面齐平的坚固的（）。18.生产厂房内外工作场所的井、坑、孔、洞或沟道，必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。在检修工作中如需将盖板取下，必须设（）。临时打的孔、洞，施工结束后，必须恢复原状。