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1.The parameters of CMOS device D1 are: VOHmax=3.84V, VOLmax=0.33V, VIHmax=1.8V, VILmax=0.9V, IOH(max)=-4mA，IOL(max)=4mA, IIH=1uA,2.In the sample analysis（）to this article, we only used five parameters for each element.（attach；请用所给单词的正确形式填空。）