首页 / 百科 / 内容详情 通常掩膜氧化采用的工艺方法为: 2022-05-02 4次阅读 掩膜 氧化 通常 通常掩膜氧化采用的工艺方法为: A.掺氯氧化B.干氧C.干氧-湿氧-干氧D.低压氧化正确答案:干氧-湿氧-干氧 关于氧化速率下面哪种描述是正确的: VPE制备n-n+-Si用硅烷为源,硅烷是在()完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-n+Si界面 猜你喜欢 扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸,这是()效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。