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标签: 耗尽
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- 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
- 为了使耗尽型N沟道场效应管工作在恒流区,应使uGS()
- 耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时,也可工作在恒流区。()
- UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。(填写增强型MOS管耗尽型MOS管JFET)
- P沟道耗尽型MOS管中,外加电压UGS的极性为()。
- 对于耗尽型MOS管,UGS可以为()。
- MOS型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()
- 侧重于观察资源耗尽情况下的软件表现的系统测试被称为()
- 半导体表面达到强反型以后,随外加电压的增加,耗尽层宽度()。
- 光电二极管结构由光照、PN结、耗尽区、()等组成。