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- Vg(0)为时PN结的导带底和价带顶的电热差
- EF-EC≥0的半导体叫简并半导体,其施主浓度高于导带底等效态密度。()
- 硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV,等效状态密度N=8.8×1018cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。(k=8.6×10-5eVK)()
- n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eVK,T=300K,假定
- 掺入受主杂质的半导体称为p型半导体,杂质能级离导带很近。
- 导带中的电子可能和价带中的空穴复合,释放出的能量以声子的形式发射出去,这一过程称为辐射复合。
- 按照能带理论,金属镁外层电子处于饱和状态,因此其只有满带,没有导带,不能导电。
- 半导体导电的原理是空穴导电而非导带中电子的定向移动。
- 导带底与价带顶之间的能量区域称为()。
- 禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之()。
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