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标签: 发射极
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- 对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（）
- 晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。
- 实际晶体管做共发射极连接使用时，输出特性曲线中不同基极电流对应的曲线切线交于同一点，以下关于其原因的说法中正确的是（）。
- 双极型晶体管的发射极和集电极是等效的，使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。
- 双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（）
- 考虑BJT有效基区扩展效应，随着发射极电流的增加，晶体管共发射极电流放大系数增大。
- 双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（）
- 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。
- IGBT的3个电极是：集电极、发射极和（）。
- 分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。