在杂质半导体中多子的数量与（）有关。

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• PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区，它阻止多子扩散，起到了限制电流通过的作用。（）
• PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区，它阻止多子扩散，起到了限制电流通过的作用。
• 场效应管和三极管一样，都是有两种载流子（多子和少子）参与导电。（）
• 处于放大状态的晶体管，其发射极电流是多子扩散运动形成的（）。
• 根据掺入杂质的不同，杂质半导体分为P型半导体和N型半导体，其中N型半导体的多子是（）。