首页 / 百科 / 内容详情 氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阳离子空位(Ma-yXb)型非化学计量化合物12O2=VFe’’+2h?+OO。() 2022-05-09 5次阅读 生成 阳离子 空位 氧化性气氛生成p型半导体,以下缺陷反应生成阳离子空位(Ma-yXb)型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’ 2h? OO。() A.正确B.错误正确答案:A 亚间隙机构与空位机构相比,造成的晶格变形大;与间隙机构相比,晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散,萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。() 少量CaCl2在KCl中形成固溶体后,实测密度值随Ca2+离子数K+离子数比值增加而减少,由此可判断其缺陷反应式为。() 猜你喜欢 在AfterEffects中,对于已生成的遮罩,可以进行那些调节? 文化的起源则是由(ABCE)等方面合力生成和推进。 下列哪种因素能促进血红素的生成 TCA循环中底物水平磷酸化直接生成的是GTP。 乙酰辅酶A可异生成糖。