首页 / 百科 / 内容详情 拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的()造成。 2022-05-02 7次阅读 单晶 坩埚 分解 拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的()造成。 正确答案:氧 在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHVCVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层? 以下关于国际联盟的表述是正确的? 猜你喜欢 单晶直探头接收超声波时,是利用压电片的() 关于拉单晶时进行的缩颈步骤,下面的说法那种正确? 直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势,单晶炉也逐渐发展变大。 目前生长半导体体单晶最常见的方法是() 同一种物质,多晶体的热导率总是比单晶的小。