热氧化过程中杂质在SiO2Si界面的浓度是突变的,这是由杂质()引起的。(两个字)

热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质()引起的。(两个字)

正确答案:分凝

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