引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。
A.发射结正偏电压变化
B.集电结反偏电压变化
C.基区少子浓度梯度变化
D.发射结势垒宽度变化
正确答案：集电结反偏电压变化
引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。
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