对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
A.掺入n型杂质
B.掺入p型杂质
C.本征激发
D.引入深能级
正确答案：掺入p型杂质；本征激发
“半导体中载流子的定量统计描述”测试题
对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
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