BLOCK1单元开始连续10个单元清0的伪指令是（）。

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• 下列氧化还原条件引起的结构单元，没能引起显著的结构单元极性改变
• 理论上讲，存储器位扩展方式可以增加存储单元的字长，这样就增加了计算机系统的字长。
• 理论上讲，采用字扩展方式可以任意增加存储单元的个数。
• 不论采用那种存储器扩展方式，每个芯片内的存储单元地址是连续的。